ALD 3D
Mit Al2O3 beschichteter
Graben in Silizium
Die ALD 3D-Prozesse ermöglichen es, Schichten mit dem Verfahren der plasmaunterstützten Atomlagenabscheidung (PEALD) auf Kunststoff-teile, Keramiken, Gläser und Metalle aufzubringen.
Die PEALD Schichten haben den Vorteil einer sehr homogenen Schichtdicke, unabhängig von der Position und geometrischen Form der Oberfläche. Es können auch Löcher einem Aspektverhältnis von bis zu
100 : 1 (Tiefe : Breite) beschichtet werden.
Mit den ALD 3D-Prozessen können Bauteile mit einer maximalen Größe von 150 × 150 × 150 mm beschichtet werden. Eine Besonderheit ist, dass die Teile beliebig dreidimensional geformt sein können, wobei natürlich auch Flachsubstrate möglich sind.
Typische Beschichtungen sind:
Durch die plasmaunterstützte ALD ist es möglich, die Prozesstemperatur auf weit unter 100 °C zu halten und dadurch auch temperaturempfindliche Oberflächen und Materialien zu beschichten.
Für weitere Informationen zu diesem Thema siehe diesen Fachartikel.
Die PEALD Schichten haben den Vorteil einer sehr homogenen Schichtdicke, unabhängig von der Position und geometrischen Form der Oberfläche. Es können auch Löcher einem Aspektverhältnis von bis zu
100 : 1 (Tiefe : Breite) beschichtet werden.
Mit den ALD 3D-Prozessen können Bauteile mit einer maximalen Größe von 150 × 150 × 150 mm beschichtet werden. Eine Besonderheit ist, dass die Teile beliebig dreidimensional geformt sein können, wobei natürlich auch Flachsubstrate möglich sind.
Typische Beschichtungen sind:
- Oxidschichten als hochdichte Barriere gegen Moleküle und Gase aller Art
- Oxid- oder Nitridschichten mit exakt definierten optischen Eigenschaften
- Schichten als High-k-Dielektrikum
- Korrosionsschutzschichten
Durch die plasmaunterstützte ALD ist es möglich, die Prozesstemperatur auf weit unter 100 °C zu halten und dadurch auch temperaturempfindliche Oberflächen und Materialien zu beschichten.
Für weitere Informationen zu diesem Thema siehe diesen Fachartikel.
| Grundlegende Eigenschaften | |
|---|---|
| Mögliche Beschichtungen | Al2O3, SiO2, TiO2, Ta2O5, Si3N4, HfO2 |
| Mögliche Substrate | Kunststoffe, Metalle, Keramiken, Gläser, Halbleiter |
| Prozesstemperatur | 20 - 50 °C |
